ISL9N308AD3
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
ISL9N308AD3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 8.00 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 100 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 50.0 A
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.3 mm
封装 TO-220-3
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ISL9N308AD3引脚图与封装图
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在线购买ISL9N308AD3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ISL9N308AD3 | Fairchild 飞兆/仙童 | N沟道逻辑电平UltraFET沟槽功率MOSFET的30V ， 50A ， 8mз N-Channel Logic Level UltraFET Trench Power MOSFETs 30V, 50A, 8mз | 搜索库存 |
替代型号ISL9N308AD3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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