IPI200N15N3G
Infineon
英飞凌
分立器件
IPI200N15N3G中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 150 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262
外形尺寸
封装 TO-262
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
IPI200N15N3G引脚图与封装图
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在线购买IPI200N15N3G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPI200N15N3G | Infineon 英飞凌 | OptiMOSâ ?? ¢ 3电晶体管特性优良的栅极电荷X R DS （ ON）的乘积（ FOM ） OptiMOSâ¢3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DSon product FOM | 搜索库存 |
替代型号IPI200N15N3G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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