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IPB021N06N3G

数据手册.pdf
Infineon 英飞凌 分立器件
IPB021N06N3G中文资料参数规格
封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 D2PAK

外形尺寸

封装 D2PAK

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPB021N06N3G引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IPB021N06N3G Infineon 英飞凌 的OptiMOS ™ 3供电晶体管特点非常适合高频率切换和同步。 REC 。 OptiMOS™3 Power-Transistor Features Ideal for high frequency switching and sync. rec. 搜索库存
替代型号IPB021N06N3G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IPB021N06N3G

品牌: Infineon 英飞凌

封装: D2PAK

当前型号

的OptiMOS ™ 3供电晶体管特点非常适合高频率切换和同步。 REC 。 OptiMOS™3 Power-Transistor Features Ideal for high frequency switching and sync. rec.

当前型号

型号: IPB019N06L3GATMA1

品牌: 英飞凌

封装: TO-263 N-Channel 60V 120A

功能相似

Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB019N06L3GATMA1, 120 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装

IPB021N06N3G和IPB019N06L3GATMA1的区别