极性 N-Channel
耗散功率 42000 mW
上升时间 3.2 ns
下降时间 2.6 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
引脚数 3
封装 TO-263
封装 TO-263
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IPB096N03LG | Infineon 英飞凌 | OptiMOS3功率三极管 OptiMOS3 Power-Transistor | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IPB096N03LG 品牌: Infineon 英飞凌 封装: TO-263 N-Channel | 当前型号 | OptiMOS3功率三极管 OptiMOS3 Power-Transistor | 当前型号 | |
型号: IPD090N03LGATMA1 品牌: 英飞凌 封装: TO-252 N-Channel 30V 40A | 功能相似 | INFINEON IPD090N03LGATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.0075 ohm, 10 V, 2.2 V | IPB096N03LG和IPD090N03LGATMA1的区别 | |
型号: IRLR8729PBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 30V 58A | 功能相似 | N 通道功率 MOSFET 50A 至 59A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。 | IPB096N03LG和IRLR8729PBF的区别 | |
型号: IPB080N03LGATMA1 品牌: 英飞凌 封装: PG-TO263-3 N-Channel 30V 50A | 功能相似 | D2PAK N-CH 30V 50A | IPB096N03LG和IPB080N03LGATMA1的区别 |