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IPB096N03LG

IPB096N03LG

数据手册.pdf
Infineon 英飞凌 分立器件
IPB096N03LG中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 42000 mW

上升时间 3.2 ns

下降时间 2.6 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

引脚数 3

封装 TO-263

外形尺寸

封装 TO-263

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

IPB096N03LG引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IPB096N03LG Infineon 英飞凌 OptiMOS3功率三极管 OptiMOS3 Power-Transistor 搜索库存
替代型号IPB096N03LG
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IPB096N03LG

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-263 N-Channel

当前型号

OptiMOS3功率三极管 OptiMOS3 Power-Transistor

当前型号

型号: IPD090N03LGATMA1

品牌: 英飞凌

封装: TO-252 N-Channel 30V 40A

功能相似

INFINEON  IPD090N03LGATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.0075 ohm, 10 V, 2.2 V

IPB096N03LG和IPD090N03LGATMA1的区别

型号: IRLR8729PBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 30V 58A

功能相似

N 通道功率 MOSFET 50A 至 59A,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

IPB096N03LG和IRLR8729PBF的区别

型号: IPB080N03LGATMA1

品牌: 英飞凌

封装: PG-TO263-3 N-Channel 30V 50A

功能相似

D2PAK N-CH 30V 50A

IPB096N03LG和IPB080N03LGATMA1的区别