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IPD50N06S2L-13

IPD50N06S2L-13

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor

Summary of Features:

 N-channel Logic Level - Enhancement mode

• Automotive AEC Q101 qualified

• MSL1 up to 260°C peak reflow

• 175°C operating temperature

• Green package lead free

• Ultra low Rdson

• 100% Avalanche tested

Benefits:

.
world"s lowest RDS at 55V on  in planar technology
.
highest current capability
.
lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency
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robust packages with superior quality and reliability
.
Optimized total gate charge enables smaller driver output stages
IPD50N06S2L-13中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 10.2 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 136 W

阈值电压 1.2 V

漏源极电压Vds 55 V

漏源击穿电压 55 V

连续漏极电流Ids 50A

上升时间 29 ns

输入电容Ciss 1800pF @25VVds

额定功率Max 136 W

下降时间 12 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Valves control, Solenoids control, Lighting, Single-ended motors

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPD50N06S2L-13引脚图与封装图
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