IPB80P04P4-07
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
电子元器件分类
IPB80P04P4-07中文资料参数规格
技术参数
极性 P-CH
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 80A
封装参数
封装 TO-263-3-3
外形尺寸
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.4 mm
封装 TO-263-3-3
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IPB80P04P4-07引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPB80P04P4-07 | Infineon 英飞凌 | 的OptiMOS -P2功率三极管 OptiMOS-P2 Power-Transistor | 搜索库存 |
替代型号IPB80P04P4-07
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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| 型号： IPB80P04P4-07 品牌： Infineon 英飞凌 封装： | 当前型号 | 的OptiMOS -P2功率三极管 OptiMOS-P2 Power-Transistor | 当前型号 |
| 型号： IPB70P04P4L-08 品牌： 英飞凌 封装： | 功能相似 | D2PAK P-CH 40V 80A | IPB80P04P4-07和IPB70P04P4L-08的区别 |
