
额定电流 6.50 A
极性 N+P
产品系列 IRF7319
漏源极电压Vds 30.0 V
连续漏极电流Ids 4.90 A
上升时间 13.0 ns
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC
封装 SOIC
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRF7319TR 品牌: Infineon 英飞凌 封装: SOIC N+P 30V 4.9A | 当前型号 | SOIC N+P 30V 6.5A/4.9A | 当前型号 | |
型号: IRF7319TRPBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N+P 30V 6.5A 4.9A | 功能相似 | INFINEON IRF7319TRPBF 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.5 A, 30 V, 0.023 ohm, 10 V, 1 V | IRF7319TR和IRF7319TRPBF的区别 | |
型号: IRF7389TRPBF 品牌: 英飞凌 封装: SOIC N+P 30V 7.3A 5.3A | 功能相似 | INFINEON IRF7389TRPBF 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 7.3 A, 30 V, 0.023 ohm, 10 V, 1 V | IRF7319TR和IRF7389TRPBF的区别 | |
型号: FDS8958A 品牌: 飞兆/仙童 封装: SOIC N-Channel 30V 7A 28mohms 528pF | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8958A 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 7 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.9 V | IRF7319TR和FDS8958A的区别 |