ICTE8CHE3_A/D中文资料参数规格
技术参数
脉冲峰值功率 1500 W
最小反向击穿电压 9.4 V
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 DO-201AA
外形尺寸
封装 DO-201AA
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
制造应用 汽车级
符合标准
RoHS标准
含铅标准 无铅
ICTE8CHE3_A/D引脚图与封装图
暂无图片
在线购买ICTE8CHE3_A/D
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| ICTE8CHE3_A/D | Vishay Semiconductor 威世 | Tvs Diode 8vwm 11.6vc 1.5ke | 搜索库存 |
替代型号ICTE8CHE3_A/D
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： ICTE8CHE3_A/D 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： | 当前型号 | Tvs Diode 8vwm 11.6vc 1.5ke | 当前型号 |
| 型号： ICTE8C-E3/73 品牌： 威世 封装： DO-201AA | 完全替代 | Diode TVS Single Bi-Dir 8V 1.5kW 2Pin Case 1.5KE Ammo | ICTE8CHE3_A/D和ICTE8C-E3/73的区别 |
| 型号： 1N6382-E3/73 品牌： 威世 封装： 1.5KE | 完全替代 | Diode TVS Single Bi-Dir 8V 1.5kW 2Pin Case 1.5KE Ammo | ICTE8CHE3_A/D和1N6382-E3/73的区别 |
| 型号： ICTE8C-E3/51 品牌： 威世 封装： | 完全替代 | Diode TVS Single Bi-Dir 8V 1.5kW 2Pin Case 1.5KE Bulk | ICTE8CHE3_A/D和ICTE8C-E3/51的区别 |