极性 N-CH
耗散功率 180W Tc
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 7A
输入电容Ciss 705pF @25VVds
耗散功率Max 180W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 End of Life
包装方式 Tube
RoHS标准
含铅标准 无铅
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IXFP7N60P3 | IXYS Semiconductor | N-CH 600V 7A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IXFP7N60P3 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-220AB N-CH 600V 7A | 当前型号 | N-CH 600V 7A | 当前型号 | |
型号: IXTP7N60P 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-220 600V 7A 1.08nF | 类似代替 | N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 HiPerFET™### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备 | IXFP7N60P3和IXTP7N60P的区别 | |
型号: IXFA7N60P3 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-263AA-3 N-CH 600V 7A | 类似代替 | TO-263AA N-CH 600V 7A | IXFP7N60P3和IXFA7N60P3的区别 | |
型号: IXTA7N60P 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-252-3 600V 7A 1.08nF | 功能相似 | N-Channel 600V 7A 1.1Ω Surface Mount PolarHV Power Mosfet - TO-263 | IXFP7N60P3和IXTA7N60P的区别 |