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IXFP7N60P3

IXFP7N60P3

数据手册.pdf
IXYS Semiconductor 分立器件

N-CH 600V 7A

通孔 N 通道 600V 7A(Tc) 180W(Tc) TO-220AB


得捷:
MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220


IXFP7N60P3中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 180W Tc

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 7A

输入电容Ciss 705pF @25VVds

耗散功率Max 180W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 End of Life

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

IXFP7N60P3引脚图与封装图
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IXFP7N60P3 IXYS Semiconductor N-CH 600V 7A 搜索库存
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图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IXFP7N60P3

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-220AB N-CH 600V 7A

当前型号

N-CH 600V 7A

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