IRFD214
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
IRFD214中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 1W Ta
漏源极电压Vds 250 V
输入电容Ciss 140pF @25VVds
额定功率Max 1 W
耗散功率Max 1W Ta
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 DIP-4
外形尺寸
长度 6.29 mm
宽度 5 mm
高度 3.37 mm
封装 DIP-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IRFD214引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IRFD214
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRFD214 品牌： Vishay Siliconix 封装： DIP | 当前型号 | MOSFET N-CH 250V 450mA 4-DIP | 当前型号 |
| 型号： IRFD214PBF 品牌： Vishay Siliconix 封装： 4-DIP | 完全替代 | MOSFET N-CH 250V 450mA 4-DIP | IRFD214和IRFD214PBF的区别 |