IXFP220N06T3
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
通道数 1
漏源极电阻 4 mΩ
耗散功率 440 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 8500pF @25VVds
下降时间 17 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 440W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IXFP220N06T3 | IXYS Semiconductor | Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 220A; 440W; TO220AB; 38ns | 搜索库存 |