IXFN90N85X
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXFN90N85X中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 1200W Tc
漏源极电压Vds 850 V
连续漏极电流Ids 90A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 13300pF @25VVds
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1200W Tc
封装参数
引脚数 4
封装 SOT-227-4
外形尺寸
封装 SOT-227-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
IXFN90N85X引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXFN90N85X
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFN90N85X | IXYS Semiconductor | 底座安装 N 通道 850V 90A（Tc） 1200W（Tc） SOT-227B | 搜索库存 |