![IRLU110](https://image.ruidan.com/images/ics/ic_184/chanpintu/irlu110-kjC758Vf-8ZlJGYQno.png)
额定电压DC 100 V
额定电流 4.80 A
通道数 1
极性 N-Channel
耗散功率 2.5W Ta, 25W Tc
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 4.30 A
上升时间 47.0 ns
输入电容Ciss 250pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
耗散功率Max 2.5W Ta, 25W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
宽度 2.38 mm
封装 TO-251-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRLU110 品牌: Vishay Siliconix 封装: TO-251-3 N-Channel 100V 4.3A | 当前型号 | Mosfet n-Ch 100V 4.3A i-Pak | 当前型号 | |
型号: IRLU110PBF 品牌: Vishay Siliconix 封装: IPak | 完全替代 | MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK | IRLU110和IRLU110PBF的区别 | |
型号: LU-11 品牌: 三星 封装: | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor, 4A ID, 100V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, IPAK-3 | IRLU110和LU-11的区别 |