IPD35N12S3L24ATMA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

N沟道 120V 35A

表面贴装型 N 通道 120 V 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO252-3

得捷:
MOSFET N-CH 120V 35A TO252-3

欧时:
INFINEON MOSFET IPD35N12S3L24ATMA1

立创商城:
N沟道 120V 35A

贸泽:
MOSFET N-CHANNEL 100+

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 120V 35A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 120V 35A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 120V 35A TO252-3 / N-Channel 120 V 35A Tc 71W Tc Surface Mount PG-TO252-3

IPD35N12S3L24ATMA1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 71 W

上升时间 4 ns

输入电容Ciss 2700pF @25VVds

下降时间 3 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 71W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

IPD35N12S3L24ATMA1引脚图与封装图

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