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IS43R16320E-6BLI

IS43R16320E-6BLI

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 主动器件

DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 166MHz, 60 ball BGA 8mmx13mm RoHS, IT

SDRAM - DDR Memory IC 512Mb 32M x 16 Parallel 166MHz 700ps 60-TFBGA 8x13


得捷:
IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA


贸泽:
DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 166MHz, 60 ball BGA 8mmx13mm RoHS, IT


艾睿:
DRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 2.5V/2.6V 60-Pin TFBGA


安富利:
DRAM Chip DDR SDRAM 512M-Bit 32Mx16 2.5V/2.6V 60-Pin TFBGA


IS43R16320E-6BLI中文资料参数规格
技术参数

位数 16

存取时间 6 ns

存取时间Max 6 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 40 ℃

电源电压Max 2.7 V

电源电压Min 2.3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 60

封装 BGA-60

外形尺寸

封装 BGA-60

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

IS43R16320E-6BLI引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IS43R16320E-6BLI Integrated Silicon SolutionISSI DRAM 512M, 2.5V, DDR 32Mx16, 166MHz, 60 ball BGA 8mmx13mm RoHS, IT 搜索库存