耗散功率 170W Tc
漏源极电压Vds 500 V
输入电容Ciss 1423pF @25VVds
耗散功率Max 170W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
RoHS标准
含铅标准
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRFS11N50ATRRP | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRFS11N50ATRRP 品牌: Vishay Siliconix 封装: | 当前型号 | MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK | 当前型号 | |
型号: IRFS11N50A 品牌: Vishay Siliconix 封装: D2PAK | 完全替代 | MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK | IRFS11N50ATRRP和IRFS11N50A的区别 | |
型号: STB10NB50 品牌: 意法半导体 封装: D2PAK N-CH 500V 10.6A | 功能相似 | N - CHANNEL 500V - 0.55ohm - 10.6A - D2PAK的PowerMESH ] MOSFET N - CHANNEL 500V - 0.55ohm - 10.6A - D2PAK PowerMESH] MOSFET | IRFS11N50ATRRP和STB10NB50的区别 | |
型号: IRFS11N50APBF 品牌: Vishay Intertechnology 封装: | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor, 11A ID, 500V, 0.52Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, D2PAK-3 | IRFS11N50ATRRP和IRFS11N50APBF的区别 |