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IRFS11N50ATRRP

IRFS11N50ATRRP

数据手册.pdf
Vishay Siliconix 分立器件

MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK

N-Channel 500V 11A Tc 170W Tc Surface Mount D2PAK


得捷:
MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK


IRFS11N50ATRRP中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 170W Tc

漏源极电压Vds 500 V

输入电容Ciss 1423pF @25VVds

耗散功率Max 170W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准

含铅标准

IRFS11N50ATRRP引脚图与封装图
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替代型号IRFS11N50ATRRP
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRFS11N50ATRRP

品牌: Vishay Siliconix

封装:

当前型号

MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK

当前型号

型号: IRFS11N50A

品牌: Vishay Siliconix

封装: D2PAK

完全替代

MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK

IRFS11N50ATRRP和IRFS11N50A的区别

型号: STB10NB50

品牌: 意法半导体

封装: D2PAK N-CH 500V 10.6A

功能相似

N - CHANNEL 500V - 0.55ohm - 10.6A - D2PAK的PowerMESH ] MOSFET N - CHANNEL 500V - 0.55ohm - 10.6A - D2PAK PowerMESH] MOSFET

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型号: IRFS11N50APBF

品牌: Vishay Intertechnology

封装:

功能相似

Power Field-Effect Transistor, 11A ID, 500V, 0.52Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, D2PAK-3

IRFS11N50ATRRP和IRFS11N50APBF的区别