IPB100N12S305ATMA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

Trans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3Pin2+Tab D2PAK T/R

表面贴装型 N 通道 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3

得捷:
MOSFET N-CH 120V 100A TO263-3

欧时:
INFINEON MOSFET IPB100N12S305ATMA1

贸泽:
MOSFET N-CHANNEL 100+

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

IPB100N12S305ATMA1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 300 W

漏源极电压Vds 120 V

上升时间 17 ns

输入电容Ciss 11570pF @25VVds

下降时间 20 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 9.25 mm

高度 4.4 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

IPB100N12S305ATMA1引脚图与封装图

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