IPC50N04S55R8ATMA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 40 V, 0.005 ohm, 10 V, 2.8 V

Summary of Features:

IPC50N04S55R8ATMA1中文资料参数规格

技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.005 Ω

耗散功率 42 W

阈值电压 2.8 V

漏源极电压Vds 40 V

上升时间 1 ns

输入电容Ciss 1090pF @25VVds

下降时间 2 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 42W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PG-TDSON-8

外形尺寸

封装 PG-TDSON-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

IPC50N04S55R8ATMA1引脚图与封装图

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IPC50N04S55R8ATMA1	Infineon 英飞凌	晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 40 V, 0.005 ohm, 10 V, 2.8 V	搜索库存