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IS42VM16200D-75BLI-TR

IS42VM16200D-75BLI-TR

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 主动器件

动态随机存取存储器 32M, 1.8V, M-S动态随机存取存储器 2Mx16, 133Mhz, RoHS

SDRAM - 移动 存储器 IC 32Mb(2M x 16) 并联 54-TFBGA(8x8)


立创商城:
IS42VM16200D 75BLI TR


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IC DRAM 32MBIT PARALLEL 54TFBGA


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艾睿:
Banks Low Power Synchronous DRAM


IS42VM16200D-75BLI-TR中文资料参数规格
技术参数

存取时间 6 ns

电源电压 1.7V ~ 1.95V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 54

封装 BGA-54

外形尺寸

封装 BGA-54

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

IS42VM16200D-75BLI-TR引脚图与封装图
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IS42VM16200D-75BLI-TR Integrated Silicon SolutionISSI 动态随机存取存储器 32M, 1.8V, M-S动态随机存取存储器 2Mx16, 133Mhz, RoHS 搜索库存
替代型号IS42VM16200D-75BLI-TR
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IS42VM16200D-75BLI-TR

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装:

当前型号

动态随机存取存储器 32M, 1.8V, M-S动态随机存取存储器 2Mx16, 133Mhz, RoHS

当前型号

型号: IS42VM16200C-75BLI-TR

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装:

功能相似

Cache DRAM Module, 2MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8MM, LEAD FREE, TFBGA-54

IS42VM16200D-75BLI-TR和IS42VM16200C-75BLI-TR的区别