
额定电流 6.60 A
极性 Dual N-Channel, Dual P-Channel
产品系列 IRF7317
漏源极电压Vds 20.0 V
漏源击穿电压 20.0 V
连续漏极电流Ids 5.30 A
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SO-8
封装 SO-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRF7317 | Infineon 英飞凌 | SOIC N+P 20V 6.6A/5.3A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRF7317 品牌: Infineon 英飞凌 封装: SOIC Dual N-Channel 20V 5.3A | 当前型号 | SOIC N+P 20V 6.6A/5.3A | 当前型号 | |
型号: IRF7317TRPBF 品牌: 英飞凌 封装: 8-SOIC N-Channel 20V 6.6A 5.3A | 功能相似 | INFINEON IRF7317TRPBF 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.6 A, 20 V, 0.023 ohm, 4.5 V, 700 mV | IRF7317和IRF7317TRPBF的区别 | |
型号: IRF7105TRPBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 25V 3.5A 2.3A | 功能相似 | INFINEON IRF7105TRPBF 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 3.5 A, 25 V, 0.083 ohm, 10 V, 3 V | IRF7317和IRF7105TRPBF的区别 | |
型号: IRF9952TRPBF 品牌: 英飞凌 封装: SOIC N-Channel 30V 3.5A 2.3A | 功能相似 | INFINEON IRF9952TRPBF 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 3.5 A, 30 V, 0.08 ohm, 10 V, 1 V | IRF7317和IRF9952TRPBF的区别 |