IPC100N04S51R7ATMA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPC100N04S51R7ATMA1中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.0014 Ω
极性 N-CH
耗散功率 115 W
阈值电压 2.8 V
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 100A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 4810pF @25VVds
下降时间 10 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 115W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PG-TDSON-8
外形尺寸
封装 PG-TDSON-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
IPC100N04S51R7ATMA1引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPC100N04S51R7ATMA1 | Infineon 英飞凌 | 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.0014 ohm, 10 V, 2.8 V | 搜索库存 |