IPC100N04S51R9ATMA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPC100N04S51R9ATMA1中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.0016 Ω
耗散功率 100 W
阈值电压 2.8 V
漏源极电压Vds 40 V
上升时间 4 ns
输入电容Ciss 3770pF @25VVds
下降时间 7 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 100W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PG-TDSON-8
外形尺寸
封装 PG-TDSON-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
海关信息
ECCN代码 EAR99
IPC100N04S51R9ATMA1引脚图与封装图
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在线购买IPC100N04S51R9ATMA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPC100N04S51R9ATMA1 | Infineon 英飞凌 | IPC100N04S51R9ATMA1 编带 | 搜索库存 |
替代型号IPC100N04S51R9ATMA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IPC100N04S51R9ATMA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： PG-TDSON-8 | 当前型号 | IPC100N04S51R9ATMA1 编带 | 当前型号 |
| 型号： BSC014N04LSIATMA1 品牌： 英飞凌 封装： TDSON N-Channel 40V 31A | 类似代替 | INFINEON BSC014N04LSIATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 0.0012 ohm, 10 V, 2 V | IPC100N04S51R9ATMA1和BSC014N04LSIATMA1的区别 |