IRF644STRL
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
IRF644STRL中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 250 V
额定电流 14.0 A
耗散功率 3.1W Ta, 125W Tc
漏源极电压Vds 250 V
连续漏极电流Ids 14.0 A
上升时间 24.0 ns
输入电容Ciss 1300pF @25VVds
额定功率Max 3.1 W
耗散功率Max 3.1W Ta, 125W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IRF644STRL引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IRF644STRL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRF644STRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK | 搜索库存 |
替代型号IRF644STRL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF644STRL 品牌： Vishay Siliconix 封装： D²Pak 250V 14A | 当前型号 | MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK | 当前型号 |
| 型号： IRF644STRLPBF 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-263-3 | 完全替代 | MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK | IRF644STRL和IRF644STRLPBF的区别 |