IRF7416QPBF
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Infineon
英飞凌
分立器件
IRF7416QPBF中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 35 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 2.5 W
产品系列 IRF7416Q
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 10.0 A
上升时间 49 ns
输入电容Ciss 1700pF @25VVds
下降时间 60 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SO-8
外形尺寸
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 SO-8
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
IRF7416QPBF引脚图与封装图
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在线购买IRF7416QPBF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRF7416QPBF | Infineon 英飞凌 | SOIC P-CH 30V 10A | 搜索库存 |
替代型号IRF7416QPBF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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