IRFIZ24G
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
IRFIZ24G中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 37W Tc
漏源极电压Vds 60 V
输入电容Ciss 640pF @25VVds
耗散功率Max 37W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IRFIZ24G引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IRFIZ24G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRFIZ24G 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-220AB | 当前型号 | MOSFET N-CH 60V 14A TO220FP | 当前型号 |
| 型号： IRFIZ24GPBF 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-220 | 类似代替 | MOSFET N-CH 60V 14A TO220FP | IRFIZ24G和IRFIZ24GPBF的区别 |
| 型号： IRFIZ24 品牌： Vishay Intertechnology 封装： | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor, 14A ID, 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE, PLASTIC, TO-220, FULL PACK-3 | IRFIZ24G和IRFIZ24的区别 |