耗散功率 2W Ta, 3.1W Tc
漏源极电压Vds 250 V
输入电容Ciss 140pF @25VVds
额定功率Max 2 W
耗散功率Max 2W Ta, 3.1W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-261-4
封装 TO-261-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRFL214 品牌: Vishay Siliconix 封装: SOT-223 | 当前型号 | MOSFET N-CH 250V 790mA SOT223 | 当前型号 | |
型号: IRFL214PBF 品牌: Vishay Siliconix 封装: TO-261-4 | 完全替代 | MOSFET N-CH 250V 790mA SOT223 | IRFL214和IRFL214PBF的区别 | |
型号: IRFL214TRPBF 品牌: Vishay Siliconix 封装: TO-261-4 | 完全替代 | MOSFET N-CH 250V 790mA SOT223 | IRFL214和IRFL214TRPBF的区别 | |
型号: IRFL214TR 品牌: Vishay Siliconix 封装: SOT-223 250V 790mA | 完全替代 | MOSFET N-CH 250V 790mA SOT223 | IRFL214和IRFL214TR的区别 |