IRF820STRR
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
IRF820STRR中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 3.1W Ta, 50W Tc
漏源极电压Vds 500 V
输入电容Ciss 360pF @25VVds
耗散功率Max 3.1W Ta, 50W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IRF820STRR引脚图与封装图
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在线购买IRF820STRR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRF820STRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK | 搜索库存 |
替代型号IRF820STRR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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