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IRF9Z24
Vishay Siliconix 分立器件
IRF9Z24中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 60W Tc

漏源极电压Vds 60 V

输入电容Ciss 570pF @25VVds

耗散功率Max 60W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

IRF9Z24引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IRF9Z24 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 11A TO-220AB 搜索库存
替代型号IRF9Z24
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRF9Z24

品牌: Vishay Siliconix

封装: TO-220AB

当前型号

MOSFET P-CH 60V 11A TO-220AB

当前型号

型号: IRF9Z24PBF

品牌: Vishay Siliconix

封装: TO-220AB

类似代替

Trans MOSFET P-CH 60V 11A 3Pin3+Tab TO-220AB

IRF9Z24和IRF9Z24PBF的区别