IRF9Z14S
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
IRF9Z14S中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 3.7W Ta, 43W Tc
漏源极电压Vds 60 V
输入电容Ciss 270pF @25VVds
耗散功率Max 3.7W Ta, 43W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IRF9Z14S引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IRF9Z14S
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF9Z14S 品牌： Vishay Siliconix 封装： D2PAK | 当前型号 | MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK | 当前型号 |
| 型号： IRF9Z14SPBF 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-263-3 | 完全替代 | MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK | IRF9Z14S和IRF9Z14SPBF的区别 |
| 型号： IRF9Z14STRL 品牌： Vishay Siliconix 封装： D2PAK | 完全替代 | MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK | IRF9Z14S和IRF9Z14STRL的区别 |