IRFBE30S
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
IRFBE30S中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 125W Tc
漏源极电压Vds 800 V
输入电容Ciss 1300pF @25VVds
耗散功率Max 125W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IRFBE30S引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IRFBE30S
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRFBE30S 品牌： Vishay Siliconix 封装： D2PAK | 当前型号 | MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK | 当前型号 |
| 型号： IRFBE30SPBF 品牌： Vishay Siliconix 封装： D2PAK | 类似代替 | MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK | IRFBE30S和IRFBE30SPBF的区别 |
| 型号： IRFBE30STRLPBF 品牌： Vishay Intertechnology 封装： | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor, 4.1A ID, 800V, 3Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 | IRFBE30S和IRFBE30STRLPBF的区别 |