IRFBE30L
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
IRFBE30L中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 125W Tc
漏源极电压Vds 800 V
输入电容Ciss 1300pF @25VVds
耗散功率Max 125W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3
外形尺寸
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IRFBE30L引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IRFBE30L
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRFBE30L 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-262AA | 当前型号 | MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262 | 当前型号 |
| 型号： IRFBE30LPBF 品牌： Vishay Siliconix 封装： I²Pak | 完全替代 | MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262 | IRFBE30L和IRFBE30LPBF的区别 |