耗散功率 3.1W Ta, 50W Tc
漏源极电压Vds 500 V
输入电容Ciss 360pF @25VVds
耗散功率Max 3.1W Ta, 50W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRF820STRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRF820STRL 品牌: Vishay Siliconix 封装: D2PAK | 当前型号 | MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK | 当前型号 | |
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型号: IRF820STRRPBF 品牌: Vishay Siliconix 封装: D2PAK | 完全替代 | MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK | IRF820STRL和IRF820STRRPBF的区别 |