IRL640STRL
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
IRL640STRL中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 3.1W Ta, 125W Tc
漏源极电压Vds 200 V
输入电容Ciss 1800pF @25VVds
耗散功率Max 3.1W Ta, 125W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IRL640STRL引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IRL640STRL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRL640STRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK | 搜索库存 |
替代型号IRL640STRL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRL640STRL 品牌： Vishay Siliconix 封装： | 当前型号 | MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK | 当前型号 |
| 型号： IRL640STRLPBF 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-263-3 | 完全替代 | Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3Pin2+Tab D2PAK T/R | IRL640STRL和IRL640STRLPBF的区别 |
| 型号： IRL640SPBF 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-263-3 | 完全替代 | MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK | IRL640STRL和IRL640SPBF的区别 |
| 型号： IRL640S 品牌： Vishay Siliconix 封装： | 完全替代 | MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK | IRL640STRL和IRL640S的区别 |