IRF830S
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
IRF830S中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 3.1W Ta, 74W Tc
漏源极电压Vds 500 V
输入电容Ciss 610pF @25VVds
额定功率Max 74 W
耗散功率Max 3.1W Ta, 74W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
IRF830S引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IRF830S
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF830S 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-263-3 | 当前型号 | MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK | 当前型号 |
| 型号： IRF830SPBF 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-263-3 | 完全替代 | MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK | IRF830S和IRF830SPBF的区别 |
| 型号： IRF830STRL 品牌： Vishay Siliconix 封装： D2PAK | 完全替代 | MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK | IRF830S和IRF830STRL的区别 |
| 型号： IRF830STRLPBF 品牌： Vishay Siliconix 封装： D2PAK | 类似代替 | MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK | IRF830S和IRF830STRLPBF的区别 |