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IRF9630STRL

IRF9630STRL

Vishay Siliconix 分立器件

MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK

P-Channel 200V 6.5A Tc 3W Ta, 74W Tc Surface Mount D2PAK


得捷:
MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK


贸泽:
MOSFET P-Chan 200V 6.5 Amp


IRF9630STRL中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 3W Ta, 74W Tc

漏源极电压Vds 200 V

输入电容Ciss 700pF @25VVds

耗散功率Max 3W Ta, 74W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

IRF9630STRL引脚图与封装图
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IRF9630STRL Vishay Siliconix MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK 搜索库存
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图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRF9630STRL

品牌: Vishay Siliconix

封装:

当前型号

MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK

当前型号

型号: IRF9630STRLPBF

品牌: Vishay Siliconix

封装: TO-263-3

完全替代

MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK

IRF9630STRL和IRF9630STRLPBF的区别

型号: IRF9630S

品牌: Vishay Siliconix

封装: D²Pak

完全替代

MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK

IRF9630STRL和IRF9630S的区别

型号: 2SJ412

品牌: 东芝

封装: TO-220FL/SM P-CH 100V 16A

功能相似

2SJ412 P沟道MOS场效应管 -100V -16A 0.15ohm SOT-263 marking/标记 J412 高速高电流开关 斩波稳压 DC/DC转换 电机驱动

IRF9630STRL和2SJ412的区别