IRFR1N60A
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
IRFR1N60A中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 36W Tc
漏源极电压Vds 600 V
输入电容Ciss 229pF @25VVds
额定功率Max 36 W
耗散功率Max 36W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IRFR1N60A引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IRFR1N60A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRFR1N60A 品牌： Vishay Siliconix 封装： DPak | 当前型号 | MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK | 当前型号 |
| 型号： IRFR1N60ATRPBF 品牌： Vishay Siliconix 封装： DPAK | 完全替代 | Trans MOSFET N-CH 600V 1.4A 3Pin2+Tab DPAK T/R | IRFR1N60A和IRFR1N60ATRPBF的区别 |
| 型号： IRFR1N60APBF 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-252-3 | 完全替代 | MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK | IRFR1N60A和IRFR1N60APBF的区别 |
| 型号： IRFR1N60ATR 品牌： Vishay Siliconix 封装： | 完全替代 | MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK | IRFR1N60A和IRFR1N60ATR的区别 |