
耗散功率 3.7W Ta, 150W Tc
漏源极电压Vds 60 V
输入电容Ciss 1900pF @25VVds
耗散功率Max 3.7W Ta, 150W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRFZ44STRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRFZ44STRL 品牌: Vishay Siliconix 封装: TO-263-3 | 当前型号 | MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK | 当前型号 | |
型号: IRFZ44SPBF 品牌: Vishay Siliconix 封装: TO-263-3 | 完全替代 | MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK | IRFZ44STRL和IRFZ44SPBF的区别 | |
型号: SIHFZ44S-GE3 品牌: Vishay Siliconix 封装: D2PAK | 功能相似 | SIHFZ44S-GE3 N-channel MOSFET Transistor, 50A, 60V, 2+Tab-Pin TO-263 | IRFZ44STRL和SIHFZ44S-GE3的区别 |