IRF9Z34STRR
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
IRF9Z34STRR中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 3.7W Ta, 88W Tc
漏源极电压Vds 60 V
输入电容Ciss 1100pF @25VVds
耗散功率Max 3.7W Ta, 88W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IRF9Z34STRR引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| IRF9Z34STRR | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK | 搜索库存 |