锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IRLZ34L
Vishay Siliconix 分立器件

MOSFET N-CH 60V 30A TO-262

N-Channel 60V 30A Tc 3.7W Ta, 88W Tc Through Hole TO-262-3


得捷:
MOSFET N-CH 60V 30A TO262-3


IRLZ34L中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 3.7W Ta, 88W Tc

漏源极电压Vds 60 V

输入电容Ciss 1600pF @25VVds

耗散功率Max 3.7W Ta, 88W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

IRLZ34L引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IRLZ34L
型号 制造商 描述 购买
IRLZ34L Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 30A TO-262 搜索库存
替代型号IRLZ34L
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRLZ34L

品牌: Vishay Siliconix

封装: TO-262AA

当前型号

MOSFET N-CH 60V 30A TO-262

当前型号

型号: IRLZ34N

品牌: 恩智浦

封装:

功能相似

N沟道增强模式的逻辑电平的TrenchMOS晶体管 N-channel enhancement mode Logic level TrenchMOS transistor

IRLZ34L和IRLZ34N的区别

型号: IRLZ34N,127

品牌: 恩智浦

封装:

功能相似

MOSFET RAIL PWR-MOS

IRLZ34L和IRLZ34N,127的区别

型号: IRLZ34

品牌: 英飞凌

封装:

功能相似

Power Field-Effect Transistor, 30A ID, 55V, 0.046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE PACKAGE-3

IRLZ34L和IRLZ34的区别