耗散功率 3.7W Ta, 88W Tc
漏源极电压Vds 60 V
输入电容Ciss 1600pF @25VVds
耗散功率Max 3.7W Ta, 88W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3
封装 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRLZ34L 品牌: Vishay Siliconix 封装: TO-262AA | 当前型号 | MOSFET N-CH 60V 30A TO-262 | 当前型号 | |
型号: IRLZ34N 品牌: 恩智浦 封装: | 功能相似 | N沟道增强模式的逻辑电平的TrenchMOS晶体管 N-channel enhancement mode Logic level TrenchMOS transistor | IRLZ34L和IRLZ34N的区别 | |
型号: IRLZ34N,127 品牌: 恩智浦 封装: | 功能相似 | MOSFET RAIL PWR-MOS | IRLZ34L和IRLZ34N,127的区别 | |
型号: IRLZ34 品牌: 英飞凌 封装: | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor, 30A ID, 55V, 0.046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE PACKAGE-3 | IRLZ34L和IRLZ34的区别 |