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IRFIBE30G
Vishay Siliconix 分立器件

MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220FP

N-Channel 800V 2.1A Tc 35W Tc Through Hole TO-220-3


得捷:
MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220FP


IRFIBE30G中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 35W Tc

漏源极电压Vds 800 V

输入电容Ciss 1300pF @25VVds

耗散功率Max 35W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

IRFIBE30G引脚图与封装图
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型号: IRFIBE30G

品牌: Vishay Siliconix

封装: TO-220AB

当前型号

MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220FP

当前型号

型号: IRFIBE30GPBF

品牌: Vishay Siliconix

封装: TO-220

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