IRFIBE30G
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
耗散功率 35W Tc
漏源极电压Vds 800 V
输入电容Ciss 1300pF @25VVds
耗散功率Max 35W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRFIBE30G 品牌: Vishay Siliconix 封装: TO-220AB | 当前型号 | MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220FP | 当前型号 | |
型号: IRFIBE30GPBF 品牌: Vishay Siliconix 封装: TO-220 | 类似代替 | MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220FP | IRFIBE30G和IRFIBE30GPBF的区别 |