IRFS9N60ATRR
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Vishay Siliconix
分立器件
IRFS9N60ATRR中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 170W Tc
漏源极电压Vds 600 V
输入电容Ciss 1400pF @25VVds
耗散功率Max 170W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IRFS9N60ATRR引脚图与封装图
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在线购买IRFS9N60ATRR
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRFS9N60ATRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK | 搜索库存 |
替代型号IRFS9N60ATRR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRFS9N60ATRR 品牌： Vishay Siliconix 封装： | 当前型号 | MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK | 当前型号 |
| 型号： IRFS9N60ATRRPBF 品牌： Vishay Siliconix 封装： D2PAK | 完全替代 | MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK | IRFS9N60ATRR和IRFS9N60ATRRPBF的区别 |