IRFB13N50A
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Vishay Siliconix
分立器件
IRFB13N50A中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 250W Tc
漏源极电压Vds 500 V
输入电容Ciss 1910pF @25VVds
额定功率Max 250 W
耗散功率Max 250W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.41 mm
宽度 4.7 mm
高度 15.49 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IRFB13N50A引脚图与封装图
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在线购买IRFB13N50A
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRFB13N50A | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 14A TO-220AB | 搜索库存 |
替代型号IRFB13N50A
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRFB13N50A 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-220AB | 当前型号 | MOSFET N-CH 500V 14A TO-220AB | 当前型号 |
| 型号： IRFB13N50APBF 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-220AB | 类似代替 | MOSFET N-CH 500V 14A TO-220AB | IRFB13N50A和IRFB13N50APBF的区别 |