IRFIBC20G
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
IRFIBC20G中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 30W Tc
漏源极电压Vds 600 V
输入电容Ciss 350pF @25VVds
额定功率Max 30 W
耗散功率Max 30W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IRFIBC20G引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IRFIBC20G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRFIBC20G 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-220-3 | 当前型号 | MOSFET N-CH 600V 1.7A TO220FP | 当前型号 |
| 型号： IRFIBC20GPBF 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-220-3 | 完全替代 | MOSFET N-CH 600V 1.7A TO220FP | IRFIBC20G和IRFIBC20GPBF的区别 |