IRFBA22N50APBF
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Vishay Siliconix
分立器件
耗散功率 340W Tc
漏源极电压Vds 500 V
输入电容Ciss 3400pF @25VVds
耗散功率Max 340W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-273-3
长度 11 mm
宽度 5 mm
高度 15 mm
封装 TO-273-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRFBA22N50APBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 24A SUPER-220 | 搜索库存 |