IRFPS30N60KPBF
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Vishay Siliconix
分立器件
IRFPS30N60KPBF中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 450W Tc
漏源极电压Vds 600 V
输入电容Ciss 5870pF @25VVds
额定功率Max 450 W
耗散功率Max 450W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 15.87 mm
宽度 5.31 mm
高度 20.82 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IRFPS30N60KPBF引脚图与封装图
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在线购买IRFPS30N60KPBF
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRFPS30N60KPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 30A SUPER247 | 搜索库存 |
替代型号IRFPS30N60KPBF
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRFPS30N60KPBF 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-247-3 | 当前型号 | MOSFET N-CH 600V 30A SUPER247 | 当前型号 |
| 型号： APT8020B2FLLG 品牌： 美高森美 封装： T-MAX 800V 38A 5.2nF | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 800V 38A 3Pin3+Tab T-MAX | IRFPS30N60KPBF和APT8020B2FLLG的区别 |
| 型号： APT6017B2FLLG 品牌： 美高森美 封装： T-MAX 600V 35A 4.5nF | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 600V 35A 3Pin3+Tab T-MAX | IRFPS30N60KPBF和APT6017B2FLLG的区别 |
| 型号： APT6013B2FLLG 品牌： 美高森美 封装： TO-264 600V 43A 5.63nF | 功能相似 | MOSFET N-CH 600V 43A T-MAX | IRFPS30N60KPBF和APT6013B2FLLG的区别 |