IRFIB7N50LPBF
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
IRFIB7N50LPBF中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 46W Tc
漏源极电压Vds 500 V
输入电容Ciss 2220pF @25VVds
额定功率Max 46 W
耗散功率Max 46W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IRFIB7N50LPBF引脚图与封装图
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| IRFIB7N50LPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 6.8A TO220FP | 搜索库存 |