IRFB16N50K
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
IRFB16N50K中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 280W Tc
漏源极电压Vds 500 V
输入电容Ciss 2210pF @25VVds
耗散功率Max 280W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IRFB16N50K引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| IRFB16N50K | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 17A TO-220AB | 搜索库存 |