IS43DR86400E-3DBL

Integrated Silicon SolutionISSI 电子元器件分类

动态随机存取存储器 512M 64Mx8 333MHz DDR2 1.8V

SDRAM - DDR2 存储器 IC 512Mb（64M x 8）并联 60-TWBGA（8x10.5）

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IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA

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DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 64Mx8 1.8V 60-Pin TW-BGA

IS43DR86400E-3DBL中文资料参数规格

技术参数

位数 8

存取时间 450 ns

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 60

封装 BGA-60

外形尺寸

封装 BGA-60

物理参数

工作温度 0℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

IS43DR86400E-3DBL引脚图与封装图

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