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IS43R16320E-5BL

IS43R16320E-5BL

数据手册.pdf
Integrated Silicon SolutionISSI 主动器件

DRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 2.5V/2.6V 60Pin TFBGA

SDRAM - DDR 存储器 IC 512Mb(32M x 16) 并联 60-TFBGA(8x13)


得捷:
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TFBGA


艾睿:
DRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 2.5V/2.6V 60-Pin TFBGA


安富利:
DRAM Chip DDR SDRAM 512M-Bit 32Mx16 2.5V/2.6V 60-Pin TFBGA


IS43R16320E-5BL中文资料参数规格
技术参数

位数 16

存取时间Max 5 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

封装参数

引脚数 60

封装 BGA

外形尺寸

高度 0.8 mm

封装 BGA

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

IS43R16320E-5BL引脚图与封装图
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IS43R16320E-5BL Integrated Silicon SolutionISSI DRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 2.5V/2.6V 60Pin TFBGA 搜索库存