IDT03S60C
数据手册.pdf
Infineon
英飞凌
电子元器件分类
IDT03S60C中文资料参数规格
技术参数
正向电流Max 4.5 A
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 25000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 TO-220
外形尺寸
封装 TO-220
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IDT03S60C引脚图与封装图
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在线购买IDT03S60C
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IDT03S60C | Infineon 英飞凌 | 2ndGeneration的thinQ ！ TM SiC肖特基二极管 2ndGeneration thinQ!TM SiC Schottky Diode | 搜索库存 |
替代型号IDT03S60C
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IDT03S60C 品牌： Infineon 英飞凌 封装： | 当前型号 | 2ndGeneration的thinQ ！ TM SiC肖特基二极管 2ndGeneration thinQ!TM SiC Schottky Diode | 当前型号 |
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| 型号： IDH12S60C 品牌： 英飞凌 封装： TO-220 | 完全替代 | INFINEON IDH12S60C 二极管, 碳化硅肖特基, SIC, thinQ 2G 600V系列, 单, 600 V, 12 A, 30 nC, TO-220 | IDT03S60C和IDH12S60C的区别 |
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